北京航空航天大学

导师详细信息

姓名：黄安平

性别：男

出生年份：1974

职称：教授

院系：物理科学与核能工程学院

首次聘任导师时间：2013

现聘任导师一级学科名称：物理学

现聘任导师二级学科名称：凝聚态物理

聘任在第二学科培养博士生专业名称：无

聘任在自主设置学科培养博士生专业名称：无

主要研究方向及特色：1.半导体薄膜与器件物理，2.信息功能材料与仿生智能器件，3.半导体材料表面改性与生物物理

电子信箱：aphuang@buaa.edu.cn

办公电话：010-82338779

办公地点：主楼436

通信地址：北京航空航天大学物理系

个人简介：

黄安平：男，安徽安庆人，博士，教授，博士生导师，美国Stanford大学电子工程系访问学者，2008年度教育部新世纪优秀人才，北京航空航天大学“我爱我师”十佳教师（2011年），连续荣获北京航空航天大学优秀研究生指导教师称号（2011年、2010年），担任3rd IEEE International Nano Electronics Conference (INEC-2010)纳米电子学分会主席等。长期从事新型半导体薄膜物理与器件研究，在电子薄膜材料的合成制备、物性分析与电子器件的性能研究等方面积累了一定的工作经验。目前承担两门北京市精品课程的教学工作，已发表SCI检索学术论文50余篇，英文论著(Book Chapter)2篇，国际会议论文11篇，国际会议大会邀请报告多次。部分研究成果被全球最大的专业电信咨询公司之一Frost & Sullivan公司在其"Technical Insights"网站上以“新技术亮点”为题专门撰文评述。

教学、人才培养及科研项目情况：

现讲授本科生《大学物理学》等课程。主持承担的科研项目主要有国家自然科学基金、教育部新世纪人才基金、教育部博士点基金、蓝天新秀基金等。目前正主持承担国家自然科学基金面上项目2项，现有研究生5名，已毕业研究生2人，均获得了北京航空航天大学优秀研究生（校级）荣誉称号，连续荣获北京航空航天大学优秀研究生指导教师称号。

每年拟招收博士研究生1-2人，硕士研究生2-3人。

热诚欢迎有志于从事半导体薄膜与仿生智能器件相关研究的同学加入我们的团队。

研究方向：

现主要从事半导体薄膜与器件物理，信息功能材料与仿生智能器件，半导体材料表面改性与生物物理等方面的研究工作。

部分研究成果（Selected）：

1. X. H. Zheng, A. P. Huang*, Z. S. Xiao, X. Y. Liu, M. Wang, Z. W. Wu, and Paul K. Chu, Diffusion Behavior of Dual Capping Layers in TiN/LaN/AlN/HfSiOx/Si Stack, Applied Physics Letters 99 (2011) 131914;

2. A. P. Huang*, X. H. Zheng, Z. S. Xiao, Z. C. Yang, M. Wang, and Paul K. Chu Flat Band Voltage Shift in P-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors, Chinese Physics B 20 (2011) 097303;

3. Z. C. Yang, A. P. Huang*, X. H. Zheng, Z. S. Xiao, X. Y. Liu, X. W. Zhang, Paul K. Chu and W. W. Wang, Fermi-level pinning at metal/high-k interface influenced by electron state density of metal gate: IEEE Electron Device Letters 31 (2010) 1101-1103;

4. X. H. Zheng, A. P. Huang*, Z. S. Xiao, Z. C. Yang, M. Wang, X. W. Zhang, W. W. Wang and Paul K. Chu, Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin SiO2/Si pMOS stacks: Applied Physics Letters 97 (2010) 132908;

5. Z. C. Yang, A. P. Huang*, L. Yan, Z. S. Xiao, X. W. Zhang, Paul K. Chu and W. W. Wang, Role of interface dipole in metal gate/high-k effective work function modulation by aluminum incorporation: Applied Physics Letters 94 (2009) 252905;

6. A. P. Huang, Z. S. Xiao, X. Y. Liu, L. Wang and P. K. Chu, Role of fluorine in plasma nitridated ZrO2 thin films under irradiation, Applied Physics Letters, 93 (2008) 122907-1–122907-3；

7. A. P. Huang and P. K. Chu, Interfacial Compound Suppression and Dielectric Properties Enhancement of F-N-codoped ZrO2 Thin Films, Applied Physics Letters, 90 (2007) 082906-1–082906-3；

8. A. P. Huang, Paul K. Chu and X. L. Wu, Enhanced Electron Field Emission from Oriented Columnar AlN and Mechanism, Applied Physics Letters, 88(2006) 251103-1-251103-3；

9. A. P. Huang, S. L. Xu, M. K. Zhu, B. Wang, H. Yan and T Liu, Crystallization control of sputtered Ta2O5 thin films by substrate bias, Applied Physics Letters, 83 (2003) 3278-3280；

10. A. P. Huang, L. Wang, J. B. Xu and P. K. Chu, Plasma Nitridated High-k Polycrystalline Induced by Electron Irradiation, Nanotechnology, 17 (2006) 4379-4383；

11. A. P. Huang and P. K. Chu, Improvement of Interfacial and Dielectric Properties of Sputtered Ta2O5 Thin Films by Substrate Biasing and the Underlying Mechanism, Journal of Applied Physics, 97 (2005) 114106-1–114106-5；

12. A. P. Huang, S. L. Xu, M. K. Zhu, G.H. Li, T. Liu, B. Wang, and H. Yan “Oriented growth of Ta2O5 films induced by substrate bias” Journal of Crystal Growth 2003, 255: 145~149;

13. A. P. Huang, G. J. Wang, S.L. Xu, M. K. Zhu, G. H. Li, B. Wang, H. Yan “Oriented AlN films prepared with solid AlCl3 source by bias assisted Cat-CVD” Materials Science and Engineering B 2004, 107:161~165;

14. A. P. Huang, and Paul K. Chu “Crystallization Improvement of Ta2O5 Thin Films by Addition of Water Vapor” Journal of Crystal Growth 2005, 274: 73~77;

15. A. P. Huang, Paul K. Chu, H. Yan, and M. K. Zhu “Dielectric Properties Enhancement of ZrO2 Thin Films Induced by Substrate Biasing” J. Vac. Sci. Technol. B 2005, 23(2): 566~569;

16. A. P. Huang, Ricky K. Y. Fu, Paul K. Chu，L. Wang, W. Y. Cheung, J. B. Xu, and S. P. Wong “Plasma Nitridation and Microstructure of High-k ZrO2 Thin Films Fabricated by Cathodic Arc Deposition” J. Crystal Growth 2005, 277: 422~427;

17. A. P. Huang, and Paul K. Chu “Microstructural Improvement of Sputtered ZrO2 Thin Films by Substrate biasing” Materials Science and Engineering B 2005, 121(3): 244~247;

18. A. P. Huang, and Paul K. Chu “Characteristics of Interface between Ta2O5 Thin Film and Si (100) Substrate” Surface and Coatings Technology 2005, 200: 1714~1718;

19. A. P. Huang, Paul K. Chu L. Wang, W. Y. Cheung, J. B. Xu, and S. P. Wong “Fabrication of Rutile TiO2 Thin Films by Low-Temperature, Bias-Assisted Cathodic Arc Deposition and Their Dielectric Properties” J. Mater. Res. 2006, 21(4):

20. A. P. Huang, Z. F. Di, Paul K. Chu “Microstructure and Visible-Photoluminescence of Titanium Dioxide Thin Films Fabricated by Dual Cathodic Arc and Nitrogen Plasma Deposition” Surface and Coatings Technology 2007, 201: 4897~4900;

21. A. P. Huang, Z. F. Di, Ricky K. Y. Fu, Paul K. Chu “Improvement of Interfacial and Microstructure Properties of High-k ZrO2 Thin Films Fabricated by Filtered Cathodic Arc Deposition Using Nitrogen Incorporation” Surface and Coatings Technology 2007, 201:8282-8285;

22. A. P. Huang and P. K. Chu, “Thermal Stability and Electrical Properties of High-k Gate Dielectric Materials”, Proceedings 6th International Workshop on Junction Technology (IWJT), Paper 5.4, 2006: 214~ 219(Invited talk).